PH8030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH8030L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
Paquete / Cubierta: LFPAK
Búsqueda de reemplazo de PH8030L MOSFET
PH8030L Datasheet (PDF)
ph8030l.pdf

PH8030LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 6 February 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conductionconverters losses Logic level compatible Lead-free packa
Otros transistores... PH5030AL , PH5330E , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , 5N60 , PH8230E , PH9025L , PH9030AL , PH9030L , PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T .



Liste
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