PH8030L Todos los transistores

 

PH8030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH8030L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de PH8030L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PH8030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  philips
 ph8030l.pdf pdf_icon

PH8030L

PH8030LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 6 February 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conductionconverters losses Logic level compatible Lead-free packa

Otros transistores... PH5030AL , PH5330E , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , RFP50N06 , PH8230E , PH9025L , PH9030AL , PH9030L , PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T .

History: IRFSL4620PBF | FMV12N50E | CEB830G | RRQ020P03 | SVS65R400DE3TR | APT24M120B2

 

 
Back to Top

 


 
.