Справочник MOSFET. PH8030L

 

PH8030L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH8030L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PH8030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  philips
 ph8030l.pdf pdf_icon

PH8030L

PH8030LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 6 February 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conductionconverters losses Logic level compatible Lead-free packa

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.