PH8030L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH8030L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH8030L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH8030L даташит

 ..1. Size:94K  philips
 ph8030l.pdf pdf_icon

PH8030L

PH8030L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 6 February 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conduction converters losses Logic level compatible Lead-free packa

Другие IGBT... PH5030AL, PH5330E, PH5525L, PH6030AL, PH6030L, PH6325L, PH7030AL, PH7030L, AON7410, PH8230E, PH9025L, PH9030AL, PH9030L, PH955L, PH9930L, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T