Справочник MOSFET. PH8030L

 

PH8030L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH8030L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH8030L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH8030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  philips
 ph8030l.pdf pdf_icon

PH8030L

PH8030LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 6 February 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conductionconverters losses Logic level compatible Lead-free packa

Другие MOSFET... PH5030AL , PH5330E , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , RFP50N06 , PH8230E , PH9025L , PH9030AL , PH9030L , PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T .

History: P0470ETF | APTC60DDAM45CT1G | IXTA88N085T | JCS7HN65B | QS8K21 | MTW33N10E | PSMN7R0-30YLC

 

 
Back to Top

 


 
.