PH8230E Todos los transistores

 

PH8230E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH8230E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 527 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de PH8230E MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PH8230E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  philips
 ph8230e.pdf pdf_icon

PH8230E

PH8230EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

 ..2. Size:176K  nxp
 ph8230e.pdf pdf_icon

PH8230E

PH8230EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

Otros transistores... PH5330E , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , PH8030L , 4N60 , PH9025L , PH9030AL , PH9030L , PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T , PHM12NQ20T .

History: NCE65N290 | AP80N03GP | OSG60R190DTF | DMTH6016LSD | CSD18503KCS | APT8024B2LLG | 2SK1447LS

 

 
Back to Top

 


 
.