PH8230E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH8230E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 527 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH8230E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH8230E даташит

 ..1. Size:176K  philips
 ph8230e.pdf pdf_icon

PH8230E

PH8230E N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

 ..2. Size:176K  nxp
 ph8230e.pdf pdf_icon

PH8230E

PH8230E N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 17 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features a

Другие IGBT... PH5330E, PH5525L, PH6030AL, PH6030L, PH6325L, PH7030AL, PH7030L, PH8030L, 12N60, PH9025L, PH9030AL, PH9030L, PH955L, PH9930L, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T