PH8230E - аналоги и даташиты транзистора

 

 

PH8230E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PH8230E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 527 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH8230E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

 

PH8230E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  philips
 ph8230e.pdf pdf_icon

PH8230E

PH8230EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

 ..2. Size:176K  nxp
 ph8230e.pdf pdf_icon

PH8230E

PH8230EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

Другие MOSFET... PH5330E , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , PH8030L , 12N60 , PH9025L , PH9030AL , PH9030L , PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T , PHM12NQ20T .

History: PH9930L | SFR9214 | SSM9977GJ | PH6325L | STI12NM50N | STI14NM65N | FQB1P50TM

 

 
Back to Top

 


 
.