PH8230E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PH8230E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 527 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
PH8230E Datasheet (PDF)
ph8230e.pdf
PH8230EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a
ph8230e.pdf
PH8230EN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 04 17 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a
Другие MOSFET... PH5330E , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , PH8030L , 4N60 , PH9025L , PH9030AL , PH9030L , PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T , PHM12NQ20T .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0606AE | JMSL0606AC | JMSL0605PG | JMSL0605AGDQ | JMSL0605AGD | JMSL040SPG | JMSL040SMTL | JMSL040SAGQ | JMSL040SAG | JMSL0406PU | JMSL0406PK | JMSL0406PGD | JMSL0406PG | JMSL0406AUQ | JMSL0406AU | JMSL0406AP
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor