PHP130N03LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP130N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: SOT78

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PHP130N03LT datasheet

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PHP130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP130N03LT, PHB130N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 6 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 5.1. Size:48K  philips
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PHP130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP130N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 V trench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 A features very low on-state

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PHP130N03LT

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 13.7 A g Low thermal resistance RDS(ON) 0.35 s GENERAL DESCRIPTION

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