PHP130N03LT Todos los transistores

 

PHP130N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP130N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78
 

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PHP130N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  philips
 php130n03lt 4.pdf pdf_icon

PHP130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP130N03LT, PHB130N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 6 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

 5.1. Size:48K  philips
 php130n03t 1.pdf pdf_icon

PHP130N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP130N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 Afeatures very low on-state

 9.1. Size:104K  philips
 php13n40e 3.pdf pdf_icon

PHP130N03LT

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 13.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.35 sGENERAL DESCRIPTION

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