PHP130N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHP130N03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: SOT78
Аналог (замена) для PHP130N03LT
PHP130N03LT Datasheet (PDF)
php130n03lt 4.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP130N03LT, PHB130N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 30 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 75 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 6 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance
php130n03t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP130N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC)1 75 Afeatures very low on-state
php13n40e 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP13N40E, PHB13N40E, PHW13N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 13.7 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.35 sGENERAL DESCRIPTION
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
