PHK4NQ10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHK4NQ10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 137 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: SO-8

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PHK4NQ10T datasheet

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PHK4NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor PHK4NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Low on-state resistance d Fast switching VDS = 100 V Low profile surface mount package ID = 4 A g RDS(ON) 70 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT96-1 (SO8) 8 7 6 5 N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTION field-effect transi

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PHK4NQ10T

PHK4NQ20T TrenchMOS standard level FET M3D315 Rev. 01 20 January 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHK4NQ20T in SOT96-1 (SO8). 1.2 Features Low on-state resistance Surface mount package. 1.3 Applications DC-DC primary side switch

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