PHK4NQ10T - аналоги и даташиты транзистора

 

PHK4NQ10T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHK4NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK4NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  philips
 phk4nq10t.pdf pdf_icon

PHK4NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor PHK4NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Low on-state resistance d Fast switching VDS = 100 V Low profile surface mountpackage ID = 4 AgRDS(ON) 70 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT96-1 (SO8)8 7 6 5N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTIONfield-effect transi

 8.1. Size:233K  philips
 phk4nq20t.pdf pdf_icon

PHK4NQ10T

PHK4NQ20TTrenchMOS standard level FETM3D315Rev. 01 20 January 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHK4NQ20T in SOT96-1 (SO8).1.2 Features Low on-state resistance Surface mount package.1.3 Applications DC-DC primary side switch

Другие MOSFET... PH7030L , PH8030L , PH8230E , PH9025L , PH9030AL , PH9030L , PH955L , PH9930L , IRLB4132 , PHK4NQ20T , PHM12NQ20T , PHM15NQ20T , PHM18NQ15T , PHM21NQ15T , PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T .

History: GSM2309 | SWMN10N65D

 

 
Back to Top

 


 
.