PHK4NQ10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHK4NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для PHK4NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK4NQ10T даташит

 ..1. Size:84K  philips
 phk4nq10t.pdf pdf_icon

PHK4NQ10T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor PHK4NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Low on-state resistance d Fast switching VDS = 100 V Low profile surface mount package ID = 4 A g RDS(ON) 70 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT96-1 (SO8) 8 7 6 5 N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTION field-effect transi

 8.1. Size:233K  philips
 phk4nq20t.pdf pdf_icon

PHK4NQ10T

PHK4NQ20T TrenchMOS standard level FET M3D315 Rev. 01 20 January 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHK4NQ20T in SOT96-1 (SO8). 1.2 Features Low on-state resistance Surface mount package. 1.3 Applications DC-DC primary side switch

Другие IGBT... PH7030L, PH8030L, PH8230E, PH9025L, PH9030AL, PH9030L, PH955L, PH9930L, CS150N03A8, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T, PHM30NQ10T, PHT2NQ10T