PHM12NQ20T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHM12NQ20T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: QLPAK

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PHM12NQ20T datasheet

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PHM12NQ20T

PHM12NQ20T TrenchMOS standard level FET Rev. 01 30 January 2003 Preliminary data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHM12NQ20T in SOT685-1 (QLPAK). 1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mount package Low profile.

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