PHM12NQ20T Todos los transistores

 

PHM12NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHM12NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: QLPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

PHM12NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  philips
 phm12nq20t.pdf pdf_icon

PHM12NQ20T

PHM12NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 01 30 January 2003 Preliminary data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHM12NQ20T in SOT685-1 (QLPAK).1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mount package Low profile.

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDP52N20 | HM12N20D | P06P03LDG | HUFA76423S3ST | NCE65TF099F

 

 
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