Справочник MOSFET. PHM12NQ20T

 

PHM12NQ20T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHM12NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: QLPAK

 Аналог (замена) для PHM12NQ20T

 

 

PHM12NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  philips
 phm12nq20t.pdf

PHM12NQ20T PHM12NQ20T

PHM12NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 01 30 January 2003 Preliminary data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHM12NQ20T in SOT685-1 (QLPAK).1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mount package Low profile.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top