Справочник MOSFET. PHM12NQ20T

 

PHM12NQ20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHM12NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: QLPAK
 

 Аналог (замена) для PHM12NQ20T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHM12NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  philips
 phm12nq20t.pdf pdf_icon

PHM12NQ20T

PHM12NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 01 30 January 2003 Preliminary data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHM12NQ20T in SOT685-1 (QLPAK).1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mount package Low profile.

Другие MOSFET... PH8230E , PH9025L , PH9030AL , PH9030L , PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T , IRFP250 , PHM15NQ20T , PHM18NQ15T , PHM21NQ15T , PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 .

History: IPD144N06NG | AOT20N25L

 

 
Back to Top

 


 
.