PHM15NQ20T Todos los transistores

 

PHM15NQ20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHM15NQ20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: QLPAK
 

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PHM15NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  philips
 phm15nq20t.pdf pdf_icon

PHM15NQ20T

PHM15NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 September 2003 Product dataM3D8791. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile.1.3 Applications DC-to-DC primary side Porta

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History: CEF830G | STD7N60M2 | CEB830G | UF640L-TN3-R | PDEC3907Z | APM4358KP | HUFA75823D3S

 

 
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