Справочник MOSFET. PHM15NQ20T

 

PHM15NQ20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHM15NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: QLPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHM15NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  philips
 phm15nq20t.pdf pdf_icon

PHM15NQ20T

PHM15NQ20TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 September 2003 Product dataM3D8791. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile.1.3 Applications DC-to-DC primary side Porta

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.