PHM25NQ10T Todos los transistores

 

PHM25NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHM25NQ10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: QLPAK
 

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PHM25NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  philips
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PHM25NQ10T

PHM25NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 September 2003 Product dataM3D8791. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile.1.3 Applications DC-to-DC primary side Porta

Otros transistores... PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T , PHM12NQ20T , PHM15NQ20T , PHM18NQ15T , PHM21NQ15T , P60NF06 , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW , QH8KA1 , QH8KA2 .

History: IXTM12N45A | APM2309AC | STU70N2LH5 | CHM5506JGP | P1306EK | PMCXB900UE | RSS090P03FU6TB

 

 
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