PHM25NQ10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHM25NQ10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: QLPAK

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PHM25NQ10T datasheet

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PHM25NQ10T

PHM25NQ10T TrenchMOS standard level FET Rev. 03 11 September 2003 Product data M3D879 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile. 1.3 Applications DC-to-DC primary side Porta

Otros transistores... PH955L, PH9930L, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, AO4407, PHM30NQ10T, PHT2NQ10T, PI5101-00-LGIZ, PJ2301, PJ2306, PJ4N3KDW, QH8KA1, QH8KA2