PHM25NQ10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHM25NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: QLPAK

Аналог (замена) для PHM25NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHM25NQ10T даташит

 ..1. Size:277K  philips
 phm25nq10t.pdf pdf_icon

PHM25NQ10T

PHM25NQ10T TrenchMOS standard level FET Rev. 03 11 September 2003 Product data M3D879 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile. 1.3 Applications DC-to-DC primary side Porta

Другие IGBT... PH955L, PH9930L, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, AO4407, PHM30NQ10T, PHT2NQ10T, PI5101-00-LGIZ, PJ2301, PJ2306, PJ4N3KDW, QH8KA1, QH8KA2