Справочник MOSFET. PHM25NQ10T

 

PHM25NQ10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHM25NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: QLPAK
 

 Аналог (замена) для PHM25NQ10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHM25NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  philips
 phm25nq10t.pdf pdf_icon

PHM25NQ10T

PHM25NQ10TTrenchMOS standard level FETRev. 03 11 September 2003 Product dataM3D8791. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile.1.3 Applications DC-to-DC primary side Porta

Другие MOSFET... PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T , PHM12NQ20T , PHM15NQ20T , PHM18NQ15T , PHM21NQ15T , P60NF06 , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW , QH8KA1 , QH8KA2 .

History: 6N70KL-TF1-T | OSG60R2K2FSF | SVG104R0NS | AP60T03GH | AOW20S60 | SSM3K03FV | PE506BA

 

 
Back to Top

 


 
.