PHT2NQ10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHT2NQ10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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PHT2NQ10T datasheet

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PHT2NQ10T

PHT2NQ10T N-channel TrenchMOS transistor Rev. 01 16 October 2001 Product data M3D087 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHT2NQ10T in SOT223 2. Features TrenchMOS technology Fast switching Surface mount package. 3. Applications Primary side switch in DC to DC convert

Otros transistores... PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T, PHM30NQ10T, 4N60, PI5101-00-LGIZ, PJ2301, PJ2306, PJ4N3KDW, QH8KA1, QH8KA2, QH8MA2, QH8MA3