PHT2NQ10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHT2NQ10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 6.25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.1 nC
   Tiempo de subida (tr): 7.7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.43 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

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PHT2NQ10T Datasheet (PDF)

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PHT2NQ10TN-channel TrenchMOS transistorRev. 01 16 October 2001 Product dataM3D0871. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHT2NQ10T in SOT2232. Features TrenchMOS technology Fast switching Surface mount package.3. Applications Primary side switch in DC to DC convert

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