Справочник MOSFET. PHT2NQ10T

 

PHT2NQ10T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHT2NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для PHT2NQ10T

 

 

PHT2NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  philips
 pht2nq10t.pdf

PHT2NQ10T PHT2NQ10T

PHT2NQ10TN-channel TrenchMOS transistorRev. 01 16 October 2001 Product dataM3D0871. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHT2NQ10T in SOT2232. Features TrenchMOS technology Fast switching Surface mount package.3. Applications Primary side switch in DC to DC convert

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top