PHT2NQ10T - аналоги и даташиты транзистора

 

PHT2NQ10T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHT2NQ10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PHT2NQ10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHT2NQ10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  philips
 pht2nq10t.pdf pdf_icon

PHT2NQ10T

PHT2NQ10TN-channel TrenchMOS transistorRev. 01 16 October 2001 Product dataM3D0871. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHT2NQ10T in SOT2232. Features TrenchMOS technology Fast switching Surface mount package.3. Applications Primary side switch in DC to DC convert

Другие MOSFET... PHK4NQ10T , PHK4NQ20T , PHM12NQ20T , PHM15NQ20T , PHM18NQ15T , PHM21NQ15T , PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , 2SK3568 , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW , QH8KA1 , QH8KA2 , QH8MA2 , QH8MA3 .

History: CSD17559Q5

 

 
Back to Top

 


 
.