PHT2NQ10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHT2NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для PHT2NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHT2NQ10T даташит

 ..1. Size:269K  philips
 pht2nq10t.pdf pdf_icon

PHT2NQ10T

PHT2NQ10T N-channel TrenchMOS transistor Rev. 01 16 October 2001 Product data M3D087 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHT2NQ10T in SOT223 2. Features TrenchMOS technology Fast switching Surface mount package. 3. Applications Primary side switch in DC to DC convert

Другие IGBT... PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T, PHM30NQ10T, 4N60, PI5101-00-LGIZ, PJ2301, PJ2306, PJ4N3KDW, QH8KA1, QH8KA2, QH8MA2, QH8MA3