PI5101-00-LGIZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PI5101-00-LGIZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 5 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00045 Ohm

Encapsulados: CHIP

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PI5101-00-LGIZ datasheet

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PI5101-00-LGIZ

PI5101 RDS(on) FETTM Series 360 , 5V/60A N-Channel MOSFET Product Summary Features Symbol Condition Value Ultra Low micro-Ohm RDS(on) ID TA = 25 C 60ADC Max Extremely Low Gate Charge V(BR)DSS ID = 5mA 5V Min Very Low Gate Resistance VGS = 4.5V 360 Typ High Density, Low Profile RDS(on) VGS = 3.5V 380 Typ Very Low Package Inducta

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