PI5101-00-LGIZ Todos los transistores

 

PI5101-00-LGIZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PI5101-00-LGIZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 5 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00045 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIP
 

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PI5101-00-LGIZ Datasheet (PDF)

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PI5101-00-LGIZ

PI5101 RDS(on) FETTM Series 360, 5V/60A N-Channel MOSFET Product Summary Features Symbol Condition Value Ultra Low micro-Ohm RDS(on) ID TA = 25C 60ADC Max Extremely Low Gate Charge V(BR)DSS ID = 5mA 5V Min Very Low Gate Resistance VGS = 4.5V 360 Typ High Density, Low Profile RDS(on) VGS = 3.5V 380 Typ Very Low Package Inducta

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History: 2SK2445 | GP1T080A120B

 

 
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