PI5101-00-LGIZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PI5101-00-LGIZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 5 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00045 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIP

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PI5101-00-LGIZ Datasheet (PDF)

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pi5101-00-lgiz.pdf

PI5101 RDS(on) FETTM Series 360, 5V/60A N-Channel MOSFET Product Summary Features Symbol Condition Value Ultra Low micro-Ohm RDS(on) ID TA = 25C 60ADC Max Extremely Low Gate Charge V(BR)DSS ID = 5mA 5V Min Very Low Gate Resistance VGS = 4.5V 360 Typ High Density, Low Profile RDS(on) VGS = 3.5V 380 Typ Very Low Package Inducta

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: