Справочник MOSFET. PI5101-00-LGIZ

 

PI5101-00-LGIZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PI5101-00-LGIZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 5 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00045 Ohm
   Тип корпуса: CHIP
 

 Аналог (замена) для PI5101-00-LGIZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PI5101-00-LGIZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  picor
 pi5101-00-lgiz.pdf pdf_icon

PI5101-00-LGIZ

PI5101 RDS(on) FETTM Series 360, 5V/60A N-Channel MOSFET Product Summary Features Symbol Condition Value Ultra Low micro-Ohm RDS(on) ID TA = 25C 60ADC Max Extremely Low Gate Charge V(BR)DSS ID = 5mA 5V Min Very Low Gate Resistance VGS = 4.5V 360 Typ High Density, Low Profile RDS(on) VGS = 3.5V 380 Typ Very Low Package Inducta

Другие MOSFET... PHK4NQ20T , PHM12NQ20T , PHM15NQ20T , PHM18NQ15T , PHM21NQ15T , PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , STF13NM60N , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW , QH8KA1 , QH8KA2 , QH8MA2 , QH8MA3 , QH8MA4 .

History: CEP85N75 | SSM6P36FE | FTK2102 | AUIRLB3036

 

 
Back to Top

 


 
.