PI5101-00-LGIZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PI5101-00-LGIZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 5 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00045 Ohm

Тип корпуса: CHIP

Аналог (замена) для PI5101-00-LGIZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PI5101-00-LGIZ даташит

 ..1. Size:733K  picor
 pi5101-00-lgiz.pdf pdf_icon

PI5101-00-LGIZ

PI5101 RDS(on) FETTM Series 360 , 5V/60A N-Channel MOSFET Product Summary Features Symbol Condition Value Ultra Low micro-Ohm RDS(on) ID TA = 25 C 60ADC Max Extremely Low Gate Charge V(BR)DSS ID = 5mA 5V Min Very Low Gate Resistance VGS = 4.5V 360 Typ High Density, Low Profile RDS(on) VGS = 3.5V 380 Typ Very Low Package Inducta

Другие IGBT... PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T, PHM30NQ10T, PHT2NQ10T, IRFP250, PJ2301, PJ2306, PJ4N3KDW, QH8KA1, QH8KA2, QH8MA2, QH8MA3, QH8MA4