PJ2301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJ2301

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PJ2301 datasheet

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PJ2301

PJ2301 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES RDS(ON), VGS@-1.8V,ID@-1.5A=200m RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-2.2A=105m 0.120(3.04) Advanced Trench Process Technology 0.110(2.80) High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for DC/DC converters Low gate charge 0.056(1

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PJ2301

PPJ2301-AU 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit inch(mm) Voltage -20 V Current -3.1A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.1A

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PJ2301

PJ2306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected Unit inch(mm) SOT-23 FEATURES RDS(ON), VGS@10V,IDS@3.2A=65m RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@2.8A=85m 0.120(3.04) 0.110(2.80) Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Very Low Leakage Current In Off Condition Specially Designed for Load Switch, PWM Applic

Otros transistores... PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T, PHM30NQ10T, PHT2NQ10T, PI5101-00-LGIZ, IRF1407, PJ2306, PJ4N3KDW, QH8KA1, QH8KA2, QH8MA2, QH8MA3, QH8MA4, QJD1210006