PJ2301 Todos los transistores

 

PJ2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJ2301
   Código: *01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

PJ2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  panjit
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PJ2301

PJ230120V P-Channel Enhancement Mode MOSFETFEATURES RDS(ON), VGS@-1.8V,ID@-1.5A=200m RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-2.2A=105m0.120(3.04) Advanced Trench Process Technology0.110(2.80) High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for DC/DC converters Low gate charge 0.056(1

 0.1. Size:380K  panjit
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PJ2301

PPJ2301-AU 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -3.1A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.1A

 9.1. Size:214K  panjit
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PJ2301

PJ2306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD ProtectedUnitinch(mm)SOT-23FEATURES RDS(ON), VGS@10V,IDS@3.2A=65m RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@2.8A=85m0.120(3.04)0.110(2.80) Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Very Low Leakage Current In Off Condition Specially Designed for Load Switch, PWM Applic

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History: IRLR7807Z

 

 
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