Справочник MOSFET. PJ2301

 

PJ2301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJ2301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PJ2301

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  panjit
 pj2301.pdf pdf_icon

PJ2301

PJ230120V P-Channel Enhancement Mode MOSFETFEATURES RDS(ON), VGS@-1.8V,ID@-1.5A=200m RDS(ON), VGS@-4.5V,ID@-2.2A=105m0.120(3.04) Advanced Trench Process Technology0.110(2.80) High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Specially Designed for DC/DC converters Low gate charge 0.056(1

 0.1. Size:380K  panjit
 pj2301-au.pdf pdf_icon

PJ2301

PPJ2301-AU 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-23 Unit: inch(mm) Voltage -20 V Current -3.1A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-3.1A

 9.1. Size:214K  panjit
 pj2306.pdf pdf_icon

PJ2301

PJ2306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD ProtectedUnitinch(mm)SOT-23FEATURES RDS(ON), VGS@10V,IDS@3.2A=65m RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@2.8A=85m0.120(3.04)0.110(2.80) Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Very Low Leakage Current In Off Condition Specially Designed for Load Switch, PWM Applic

Другие MOSFET... PHM12NQ20T , PHM15NQ20T , PHM18NQ15T , PHM21NQ15T , PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , P0903BDG , PJ2306 , PJ4N3KDW , QH8KA1 , QH8KA2 , QH8MA2 , QH8MA3 , QH8MA4 , QJD1210006 .

History: 7NM65L-TN3-R | 2SK187 | STF12N50U | SVS80R430FJHE3 | BF2040 | TDM31066 | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.