PJ4N3KDW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PJ4N3KDW

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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PJ4N3KDW datasheet

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PJ4N3KDW

PJ4N3KDW 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@1mA=7.0 RDS(ON), VGS@4.0V,IDS@10mA=5.0 Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance The MOSFET elements are independent,eliminating interference Mounting cost and area can be cut in half Very Low Leakage Current

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