PJ4N3KDW MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PJ4N3KDW
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJ4N3KDW

PJ4N3KDW Datasheet (PDF)

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pj4n3kdw.pdf

PJ4N3KDW30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD ProtectedFEATURES RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@1mA=7.0 RDS(ON), VGS@4.0V,IDS@10mA=5.0 Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance The MOSFET elements are independent,eliminating interference Mounting cost and area can be cut in half Very Low Leakage Current

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