Справочник MOSFET. PJ4N3KDW

 

PJ4N3KDW Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJ4N3KDW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ4N3KDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  panjit
 pj4n3kdw.pdf pdf_icon

PJ4N3KDW

PJ4N3KDW30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD ProtectedFEATURES RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@1mA=7.0 RDS(ON), VGS@4.0V,IDS@10mA=5.0 Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance The MOSFET elements are independent,eliminating interference Mounting cost and area can be cut in half Very Low Leakage Current

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SFG10S08PF | MDS1653URH | JCS4N65B | SSF5508A | PMV30UN | IPP60R299CP | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.