PJ4N3KDW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJ4N3KDW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для PJ4N3KDW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ4N3KDW даташит

 ..1. Size:212K  panjit
 pj4n3kdw.pdf pdf_icon

PJ4N3KDW

PJ4N3KDW 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected FEATURES RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@1mA=7.0 RDS(ON), VGS@4.0V,IDS@10mA=5.0 Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance The MOSFET elements are independent,eliminating interference Mounting cost and area can be cut in half Very Low Leakage Current

Другие IGBT... PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T, PHM30NQ10T, PHT2NQ10T, PI5101-00-LGIZ, PJ2301, PJ2306, 10N65, QH8KA1, QH8KA2, QH8MA2, QH8MA3, QH8MA4, QJD1210006, QJD1210007, QJD1210010