PJ4N3KDW - аналоги и даташиты транзистора

 

PJ4N3KDW - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PJ4N3KDW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для PJ4N3KDW

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ4N3KDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  panjit
 pj4n3kdw.pdf pdf_icon

PJ4N3KDW

PJ4N3KDW30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD ProtectedFEATURES RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@1mA=7.0 RDS(ON), VGS@4.0V,IDS@10mA=5.0 Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance The MOSFET elements are independent,eliminating interference Mounting cost and area can be cut in half Very Low Leakage Current

Другие MOSFET... PHM18NQ15T , PHM21NQ15T , PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , 10N65 , QH8KA1 , QH8KA2 , QH8MA2 , QH8MA3 , QH8MA4 , QJD1210006 , QJD1210007 , QJD1210010 .

History: SSR1N60B | JCS8N65V

 

 
Back to Top

 


 
.