Справочник MOSFET. PJ4N3KDW

 

PJ4N3KDW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PJ4N3KDW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для PJ4N3KDW

 

 

PJ4N3KDW Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  panjit
 pj4n3kdw.pdf

PJ4N3KDW PJ4N3KDW

PJ4N3KDW30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD ProtectedFEATURES RDS(ON), VGS@2.5V,IDS@1mA=7.0 RDS(ON), VGS@4.0V,IDS@10mA=5.0 Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance The MOSFET elements are independent,eliminating interference Mounting cost and area can be cut in half Very Low Leakage Current

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top