QH8KA1 Todos los transistores

 

QH8KA1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QH8KA1

Código: KA1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 3 nC

Tiempo de elevación (tr): 7.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.073 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSMT8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QH8KA1

 

QH8KA1 Datasheet (PDF)

1.1. qh8ka1.pdf Size:2924K _rohm

QH8KA1
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QH8KA1 Datasheet   30V Nch+Nch Power MOSFET    lOutline l             TSMT8 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 73mΩ     ID ±4.5A     PD 2.4W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagin

5.1. qh8ka2.pdf Size:2492K _rohm

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QH8KA2 Datasheet   30V Nch+Nch Power MOSFET    lOutline l             TSMT8 VDSS 30V   RDS(on)(Max.) 35mΩ     ID ±4.5A     PD 1.5W                         lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackag

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