QH8KA1 Todos los transistores

 

QH8KA1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QH8KA1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.073 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
 

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QH8KA1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2924K  rohm
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QH8KA1

QH8KA1Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 73m ID 4.5A PD 2.4W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin

 9.1. Size:2492K  rohm
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QH8KA1

QH8KA2Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 35m ID 4.5A PD1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackag

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History: IXFH42N50P2 | AO4485 | 2SJ624 | SSM3K12T | AOL1426 | IXFH20N80P | 8N60G-T2Q-T

 

 
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