QH8KA1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: QH8KA1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
Аналог (замена) для QH8KA1
QH8KA1 Datasheet (PDF)
qh8ka1.pdf

QH8KA1Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 73m ID 4.5A PD 2.4W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackagin
qh8ka2.pdf

QH8KA2Datasheet30V Nch+Nch Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS30VRDS(on)(Max.) 35m ID 4.5A PD1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackag
Другие MOSFET... PHM21NQ15T , PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW , 13N50 , QH8KA2 , QH8MA2 , QH8MA3 , QH8MA4 , QJD1210006 , QJD1210007 , QJD1210010 , QJD1210011 .
History: FDMC86106LZ | BS170RLRA
History: FDMC86106LZ | BS170RLRA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet