Аналоги QH8KA1. Основные параметры
Наименование производителя: QH8KA1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
Аналог (замена) для QH8KA1
QH8KA1 даташит
qh8ka1.pdf
QH8KA1 Datasheet 30V Nch+Nch Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 73m ID 4.5A PD 2.4W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackagin
qh8ka2.pdf
QH8KA2 Datasheet 30V Nch+Nch Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 35m ID 4.5A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackag
Другие MOSFET... PHM21NQ15T , PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW , 5N60 , QH8KA2 , QH8MA2 , QH8MA3 , QH8MA4 , QJD1210006 , QJD1210007 , QJD1210010 , QJD1210011 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10 | APG024N04G | APG022N06G | APG020N01GD | APG013N04G | APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K
Popular searches
c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet



