QM02N65U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM02N65U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de QM02N65U MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

QM02N65U datasheet

 ..1. Size:340K  ubiq
 qm02n65u.pdf pdf_icon

QM02N65U

QM02N65U 1 2010-04-27 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM02N65U is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 650V 8 2A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM02N65U meet the RoHS

 7.1. Size:202K  ubiq
 qm02n65d.pdf pdf_icon

QM02N65U

QM02N65D 1 2011-03-03 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM02N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltage BVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 8 2A gate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM02N65D meet

Otros transistores... QM0016S, QM0018AD, QM0020AP, QM0020P, QM01N65D, QM01N65L, QM01N65U, QM02N65D, 60N06, QM03N65D, QM03N65F, QM04N60F, QM04N65B, QM04N65D, QM04N65F, QM04N65F1, QM06N65F