QM02N65U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM02N65U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для QM02N65U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM02N65U даташит

 ..1. Size:340K  ubiq
 qm02n65u.pdf pdf_icon

QM02N65U

QM02N65U 1 2010-04-27 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM02N65U is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 650V 8 2A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM02N65U meet the RoHS

 7.1. Size:202K  ubiq
 qm02n65d.pdf pdf_icon

QM02N65U

QM02N65D 1 2011-03-03 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM02N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltage BVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 8 2A gate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM02N65D meet

Другие IGBT... QM0016S, QM0018AD, QM0020AP, QM0020P, QM01N65D, QM01N65L, QM01N65U, QM02N65D, 60N06, QM03N65D, QM03N65F, QM04N60F, QM04N65B, QM04N65D, QM04N65F, QM04N65F1, QM06N65F