QM03N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM03N65D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 90 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 12.6 nC
Tiempo de subida (tr): 18.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 38.5 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET QM03N65D
QM03N65D Datasheet (PDF)
qm03n65d.pdf
QM03N65D 1 2011-03-03 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM03N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65D mee
qm03n65f.pdf
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