QM03N65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM03N65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для QM03N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM03N65D даташит

 ..1. Size:343K  ubiq
 qm03n65d.pdf pdf_icon

QM03N65D

QM03N65D 1 2011-03-03 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM03N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltage BVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3A gate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65D mee

 7.1. Size:316K  ubiq
 qm03n65f.pdf pdf_icon

QM03N65D

QM03N65F 1 2011-03-03 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM03N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltage BVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3A gate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65F mee

Другие IGBT... QM0018AD, QM0020AP, QM0020P, QM01N65D, QM01N65L, QM01N65U, QM02N65D, QM02N65U, IRFP064N, QM03N65F, QM04N60F, QM04N65B, QM04N65D, QM04N65F, QM04N65F1, QM06N65F, QM07N60F