QM03N65D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QM03N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 38.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для QM03N65D
QM03N65D Datasheet (PDF)
qm03n65d.pdf

QM03N65D 1 2011-03-03 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM03N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65D mee
qm03n65f.pdf

QM03N65F 1 2011-03-03 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM03N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65F mee
Другие MOSFET... QM0018AD , QM0020AP , QM0020P , QM01N65D , QM01N65L , QM01N65U , QM02N65D , QM02N65U , 5N50 , QM03N65F , QM04N60F , QM04N65B , QM04N65D , QM04N65F , QM04N65F1 , QM06N65F , QM07N60F .
History: BLP055N10-P | SVGP20110NP7 | SFF25P20M
History: BLP055N10-P | SVGP20110NP7 | SFF25P20M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx