QM06N65F Todos los transistores

 

QM06N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM06N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 27.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 19.2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220F

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QM06N65F Datasheet (PDF)

1.1. qm06n65f.pdf Size:350K _ubiq

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 QM06N65F 機密 第 1 頁 2011-04-25 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM06N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 1.6 Ω 6A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM06N65F meet the RoHS and

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