QM06N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: QM06N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
QM06N65F Datasheet (PDF)
qm06n65f.pdf

QM06N65F 1 2011-04-25 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM06N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 1.6 6Amost of the synchronous buck converterapplications . Applications The QM06N65F meet the RoHS and
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IPI076N15N5 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | AP50T03GJ | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV
History: IPI076N15N5 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | AP50T03GJ | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690