QM06N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QM06N65F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для QM06N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM06N65F даташит

 ..1. Size:350K  ubiq
 qm06n65f.pdf pdf_icon

QM06N65F

QM06N65F 1 2011-04-25 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM06N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 1.6 6A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM06N65F meet the RoHS and

Другие IGBT... QM02N65U, QM03N65D, QM03N65F, QM04N60F, QM04N65B, QM04N65D, QM04N65F, QM04N65F1, 20N60, QM07N60F, QM08N60F, QM09N50F, QM09N65B, QM09N65F, QM09N65P, QM10N60F, QM12N50F