Справочник MOSFET. QM06N65F

 

QM06N65F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: QM06N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 27.5 nC

Время нарастания (tr): 19.2 ns

Выходная емкость (Cd): 76 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для QM06N65F

 

 

QM06N65F Datasheet (PDF)

1.1. qm06n65f.pdf Size:350K _ubiq

QM06N65F
QM06N65F

 QM06N65F 機密 第 1 頁 2011-04-25 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM06N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 1.6 Ω 6A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM06N65F meet the RoHS and

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top