QM06N65F - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QM06N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для QM06N65F
QM06N65F технические параметры
..1. Size:350K ubiq
qm06n65f.pdf
qm06n65f.pdf
QM06N65F 1 2011-04-25 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM06N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 1.6 6A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM06N65F meet the RoHS and
Другие MOSFET... QM02N65U , QM03N65D , QM03N65F , QM04N60F , QM04N65B , QM04N65D , QM04N65F , QM04N65F1 , 20N60 , QM07N60F , QM08N60F , QM09N50F , QM09N65B , QM09N65F , QM09N65P , QM10N60F , QM12N50F .
