Справочник MOSFET. QM06N65F

 

QM06N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QM06N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для QM06N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM06N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  ubiq
 qm06n65f.pdf pdf_icon

QM06N65F

QM06N65F 1 2011-04-25 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM06N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 1.6 6Amost of the synchronous buck converterapplications . Applications The QM06N65F meet the RoHS and

Другие MOSFET... QM02N65U , QM03N65D , QM03N65F , QM04N60F , QM04N65B , QM04N65D , QM04N65F , QM04N65F1 , 20N60 , QM07N60F , QM08N60F , QM09N50F , QM09N65B , QM09N65F , QM09N65P , QM10N60F , QM12N50F .

History: IRF3515S | MDP1932TH | IRF5305S

 

 
Back to Top

 


 
.