QM07N60F Todos los transistores

 

QM07N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM07N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

QM07N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  ubiq
 qm07n60f.pdf pdf_icon

QM07N60F

QM07N60F 1 2011-04-29 - 1 -N-Ch 600V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM07N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 600V 1.35 7Amost of the synchronous buck converterapplications . Applications The QM07N60F meet the RoHS and

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP9970AGP | RRL025P03 | LSF60R380HT | FCA76N60N | RQK0603CGDQS | 7N80G-TF3-T | AOSP32368

 

 
Back to Top

 


 
.