QM07N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM07N60F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de QM07N60F MOSFET
QM07N60F Datasheet (PDF)
qm07n60f.pdf
QM07N60F 1 2011-04-29 - 1 -N-Ch 600V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM07N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 600V 1.35 7Amost of the synchronous buck converterapplications . Applications The QM07N60F meet the RoHS and
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History: SQJ148EP | QM04N65F1 | RU304B | FRK460H | JCS7HN65F
History: SQJ148EP | QM04N65F1 | RU304B | FRK460H | JCS7HN65F
Liste
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