Справочник MOSFET. QM07N60F

 

QM07N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QM07N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для QM07N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM07N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  ubiq
 qm07n60f.pdf pdf_icon

QM07N60F

QM07N60F 1 2011-04-29 - 1 -N-Ch 600V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM07N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 600V 1.35 7Amost of the synchronous buck converterapplications . Applications The QM07N60F meet the RoHS and

Другие MOSFET... QM03N65D , QM03N65F , QM04N60F , QM04N65B , QM04N65D , QM04N65F , QM04N65F1 , QM06N65F , IRF540 , QM08N60F , QM09N50F , QM09N65B , QM09N65F , QM09N65P , QM10N60F , QM12N50F , QM12N65B .

History: IXFL36N110P | LSD65R180GT | AP50WN1K5P | DH028N03 | PHP79NQ08LT | MX2N5115 | TPCA8063-H

 

 
Back to Top

 


 
.