QM08N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM08N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de QM08N60F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

QM08N60F datasheet

 ..1. Size:321K  ubiq
 qm08n60f.pdf pdf_icon

QM08N60F

QM08N60F 1 2011-11-15 - 1 - N-Ch 600V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM08N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 600V 1.0 8A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM08N60F meet the RoHS and

Otros transistores... QM03N65F, QM04N60F, QM04N65B, QM04N65D, QM04N65F, QM04N65F1, QM06N65F, QM07N60F, IRF540, QM09N50F, QM09N65B, QM09N65F, QM09N65P, QM10N60F, QM12N50F, QM12N65B, QM12N65F