QM08N60F - аналоги и даташиты транзистора

 

QM08N60F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: QM08N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для QM08N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM08N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  ubiq
 qm08n60f.pdf pdf_icon

QM08N60F

QM08N60F 1 2011-11-15 - 1 -N-Ch 600V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM08N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 600V 1.0 8Amost of the synchronous buck converterapplications . Applications The QM08N60F meet the RoHS and

Другие MOSFET... QM03N65F , QM04N60F , QM04N65B , QM04N65D , QM04N65F , QM04N65F1 , QM06N65F , QM07N60F , IRF540N , QM09N50F , QM09N65B , QM09N65F , QM09N65P , QM10N60F , QM12N50F , QM12N65B , QM12N65F .

History: PI504BZ | LSG65R380HT | AP9960GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.