QM08N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM08N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для QM08N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM08N60F даташит

 ..1. Size:321K  ubiq
 qm08n60f.pdf pdf_icon

QM08N60F

QM08N60F 1 2011-11-15 - 1 - N-Ch 600V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM08N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 600V 1.0 8A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM08N60F meet the RoHS and

Другие IGBT... QM03N65F, QM04N60F, QM04N65B, QM04N65D, QM04N65F, QM04N65F1, QM06N65F, QM07N60F, IRF540, QM09N50F, QM09N65B, QM09N65F, QM09N65P, QM10N60F, QM12N50F, QM12N65B, QM12N65F