QM10N60F Todos los transistores

 

QM10N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM10N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de QM10N60F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

QM10N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  ubiq
 qm10n60f.pdf pdf_icon

QM10N60F

QM10N60F 1 2011-11-15 - 1 -N-Ch 600V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM10N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 600V 0.7 12Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM10N60F me

Otros transistores... QM04N65F1 , QM06N65F , QM07N60F , QM08N60F , QM09N50F , QM09N65B , QM09N65F , QM09N65P , IRF1404 , QM12N50F , QM12N65B , QM12N65F , QM12N65P , QM12N70F , QM14N65F , QM2401C1 , QM2401D .

History: IXTC200N10T

 

 
Back to Top

 


 
.