QM10N60F Todos los transistores

 

QM10N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM10N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

QM10N60F Datasheet (PDF)

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QM10N60F

QM10N60F 1 2011-11-15 - 1 -N-Ch 600V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM10N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 600V 0.7 12Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM10N60F me

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History: FCA76N60N | RRL025P03 | LSF60R380HT | RQK0603CGDQS | AOSP32368 | 7N80G-TF3-T | IPI80N04S2-04

 

 
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