QM10N60F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM10N60F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для QM10N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM10N60F даташит

 ..1. Size:322K  ubiq
 qm10n60f.pdf pdf_icon

QM10N60F

QM10N60F 1 2011-11-15 - 1 - N-Ch 600V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM10N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltage BVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 600V 0.7 12A gate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM10N60F me

Другие IGBT... QM04N65F1, QM06N65F, QM07N60F, QM08N60F, QM09N50F, QM09N65B, QM09N65F, QM09N65P, IRF1404, QM12N50F, QM12N65B, QM12N65F, QM12N65P, QM12N70F, QM14N65F, QM2401C1, QM2401D