Справочник MOSFET. QM10N60F

 

QM10N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QM10N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для QM10N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM10N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:322K  ubiq
 qm10n60f.pdf pdf_icon

QM10N60F

QM10N60F 1 2011-11-15 - 1 -N-Ch 600V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM10N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 600V 0.7 12Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM10N60F me

Другие MOSFET... QM04N65F1 , QM06N65F , QM07N60F , QM08N60F , QM09N50F , QM09N65B , QM09N65F , QM09N65P , IRF1404 , QM12N50F , QM12N65B , QM12N65F , QM12N65P , QM12N70F , QM14N65F , QM2401C1 , QM2401D .

History: IRFS332 | IPD024N06N | CEF09N7G | DADMH056N090Z1B | CEP3120 | HGS120N10SL | HM35P03

 

 
Back to Top

 


 
.