QM10N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: QM10N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для QM10N60F
QM10N60F Datasheet (PDF)
qm10n60f.pdf

QM10N60F 1 2011-11-15 - 1 -N-Ch 600V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM10N60F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 600V 0.7 12Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM10N60F me
Другие MOSFET... QM04N65F1 , QM06N65F , QM07N60F , QM08N60F , QM09N50F , QM09N65B , QM09N65F , QM09N65P , IRF1404 , QM12N50F , QM12N65B , QM12N65F , QM12N65P , QM12N70F , QM14N65F , QM2401C1 , QM2401D .
History: IRFS332 | IPD024N06N | CEF09N7G | DADMH056N090Z1B | CEP3120 | HGS120N10SL | HM35P03
History: IRFS332 | IPD024N06N | CEF09N7G | DADMH056N090Z1B | CEP3120 | HGS120N10SL | HM35P03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555