QM14N65F Todos los transistores

 

QM14N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM14N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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QM14N65F Datasheet (PDF)

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QM14N65F

QM14N65F 1 2011-07-22 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM14N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 0.65 14Amost of the synchronous buck converterapplications . Applications The QM14N65F meet the RoHS an

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History: WFP2N60 | RP1A090ZPTR | IPB09N03LA | AP02N60H-H | STLT19 | PH6325L

 

 
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