QM14N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM14N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de QM14N65F MOSFET
QM14N65F Datasheet (PDF)
qm14n65f.pdf
QM14N65F 1 2011-07-22 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM14N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 0.65 14Amost of the synchronous buck converterapplications . Applications The QM14N65F meet the RoHS an
Otros transistores... QM09N65F , QM09N65P , QM10N60F , QM12N50F , QM12N65B , QM12N65F , QM12N65P , QM12N70F , IRFB4227 , QM2401C1 , QM2401D , QM2401G , QM2401J , QM2401K , QM2401V , QM2402C1 , QM2402J .
History: TJ150F04M3L | FQAF15N70 | QM08N60F
History: TJ150F04M3L | FQAF15N70 | QM08N60F
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor

