QM14N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM14N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de QM14N65F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

QM14N65F datasheet

 ..1. Size:315K  ubiq
 qm14n65f.pdf pdf_icon

QM14N65F

QM14N65F 1 2011-07-22 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM14N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 0.65 14A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM14N65F meet the RoHS an

Otros transistores... QM09N65F, QM09N65P, QM10N60F, QM12N50F, QM12N65B, QM12N65F, QM12N65P, QM12N70F, IRFB4227, QM2401C1, QM2401D, QM2401G, QM2401J, QM2401K, QM2401V, QM2402C1, QM2402J