QM14N65F - аналоги и даташиты транзистора

 

QM14N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: QM14N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для QM14N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM14N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  ubiq
 qm14n65f.pdf pdf_icon

QM14N65F

QM14N65F 1 2011-07-22 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM14N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 0.65 14Amost of the synchronous buck converterapplications . Applications The QM14N65F meet the RoHS an

Другие MOSFET... QM09N65F , QM09N65P , QM10N60F , QM12N50F , QM12N65B , QM12N65F , QM12N65P , QM12N70F , AON6414A , QM2401C1 , QM2401D , QM2401G , QM2401J , QM2401K , QM2401V , QM2402C1 , QM2402J .

History: IPD068N10N3 | JS65R170CM

 

 
Back to Top

 


 
.