QM14N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM14N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для QM14N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM14N65F даташит

 ..1. Size:315K  ubiq
 qm14n65f.pdf pdf_icon

QM14N65F

QM14N65F 1 2011-07-22 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM14N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 0.65 14A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM14N65F meet the RoHS an

Другие IGBT... QM09N65F, QM09N65P, QM10N60F, QM12N50F, QM12N65B, QM12N65F, QM12N65P, QM12N70F, IRFB4227, QM2401C1, QM2401D, QM2401G, QM2401J, QM2401K, QM2401V, QM2402C1, QM2402J