PHP42N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP42N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT78
Búsqueda de reemplazo de PHP42N03LT MOSFET
PHP42N03LT Datasheet (PDF)
php42n03lt 4.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP42N03LT, PHB42N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 42 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 26 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance
php42n03t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP42N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 42 Afeatures very low on-state r
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History: HTJ270N03
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