PHP42N03LT Todos los transistores

 

PHP42N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP42N03LT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78
 

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PHP42N03LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  philips
 php42n03lt 4.pdf pdf_icon

PHP42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP42N03LT, PHB42N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 42 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 26 m (VGS = 5 V)g Low thermal resistance

 6.1. Size:50K  philips
 php42n03t 1.pdf pdf_icon

PHP42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP42N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 42 Afeatures very low on-state r

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History: SVSP7N70SD2TR | SP8076E | FMV23N50E | RU75150R | RU70190R | 2SJ331 | FDB8443

 

 
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