PHP42N03LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP42N03LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOT78

Аналог (замена) для PHP42N03LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP42N03LT даташит

 ..1. Size:51K  philips
 php42n03lt 4.pdf pdf_icon

PHP42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP42N03LT, PHB42N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 42 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 26 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 6.1. Size:50K  philips
 php42n03t 1.pdf pdf_icon

PHP42N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP42N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 42 A features very low on-state r

Другие IGBT... PHP2N60E, PHP3055E, PHP3055L, PHP33N10, PHP37N06LT, PHP3N40E, PHP3N50E, PHP3N60E, 75N75, PHP44N06LT, PHP4N60E, PHP4ND40E, PHP50N03LT, PHP50N06LT, PHP55N03LT, PHP60N06LT, PHP65N06LT