PHP44N06LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP44N06LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT78
Búsqueda de reemplazo de PHP44N06LT MOSFET
PHP44N06LT Datasheet (PDF)
php44n06lt 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP44N06LT, PHB44N06LT, PHD44N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 44 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 28 m (VGS = 5 V)g Low thermal
php44n06t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP44N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 44 Afeatures very low on-state r
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