PHP44N06LT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PHP44N06LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT78
Аналог (замена) для PHP44N06LT
PHP44N06LT Datasheet (PDF)
php44n06lt 3.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP44N06LT, PHB44N06LT, PHD44N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 44 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 28 m (VGS = 5 V)g Low thermal
php44n06t 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP44N06T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 44 Afeatures very low on-state r
Другие MOSFET... PHP3055E , PHP3055L , PHP33N10 , PHP37N06LT , PHP3N40E , PHP3N50E , PHP3N60E , PHP42N03LT , RU6888R , PHP4N60E , PHP4ND40E , PHP50N03LT , PHP50N06LT , PHP55N03LT , PHP60N06LT , PHP65N06LT , PHP69N03LT .
History: ZVN4106FTA | IRFI9Z24N | FDY300NZ | FDY102PZ | CS840FA9D | PSMN016-100YS | PHP2N60E
History: ZVN4106FTA | IRFI9Z24N | FDY300NZ | FDY102PZ | CS840FA9D | PSMN016-100YS | PHP2N60E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ90N02A | JMTQ60N04B | JMTQ440P04A | JMTQ4407A | JMTQ380C03D | JMTQ3400D | JMTQ320N10A | JMTQ3010D | JMTQ3008A | JMTQ3006C | JMTQ3006B | JMTQ3005C | JMTQ3005A | JMTQ3003A | JMTQ250C03D | JMTLA3134K
Popular searches
mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763