QM2517C1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM2517C1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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QM2517C1 datasheet

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QM2517C1

QM2517C1 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2517C1 is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge -20V 240m -1A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2517C1 meet the RoHS and Green Produ

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QM2517C1

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