Справочник MOSFET. QM2517C1

 

QM2517C1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QM2517C1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для QM2517C1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM2517C1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  ubiq
qm2517c1.pdfpdf_icon

QM2517C1

QM2517C1 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2517C1 is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge -20V 240m -1Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2517C1 meet the RoHS and Green Produ

 9.1. Size:335K  ubiq
qm2518c1.pdfpdf_icon

QM2517C1

QM2518C1 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product SummeryThe QM2518C1 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 90m 1.52Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2518C1 meet the RoHS and Green Prod

Другие MOSFET... QM2427S , QM2429S , QM2502M9 , QM2502S , QM2502W , QM2504W , QM2506W , QM2507W , MMIS60R580P , QM2518C1 , QM2520C1 , QM2601S , QM2602S , QM2604V , QM2605S , QM2605V , QM2606C1 .

History: STN2NF10 | 2SK1868 | 2SK3161 | IXTQ36N30P | AP9468GH | CED20N02

 

 
Back to Top

 


 
.