QM2520C1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QM2520C1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 43.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QM2520C1

QM2520C1 Datasheet (PDF)

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qm2520c1.pdf

QM2520C1 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2520C1 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 115m 1.4 Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2520C1 meet the RoHS and Green Pro

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