QM2520C1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM2520C1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для QM2520C1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM2520C1 даташит

 ..1. Size:312K  ubiq
 qm2520c1.pdf pdf_icon

QM2520C1

QM2520C1 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2520C1 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 115m 1.4 A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2520C1 meet the RoHS and Green Pro

Другие IGBT... QM2502M9, QM2502S, QM2502W, QM2504W, QM2506W, QM2507W, QM2517C1, QM2518C1, IRFZ46N, QM2601S, QM2602S, QM2604V, QM2605S, QM2605V, QM2606C1, QM2607C1, QM2608N8