QM2520C1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: QM2520C1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 29.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 43.6 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
QM2520C1 Datasheet (PDF)
qm2520c1.pdf

QM2520C1 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2520C1 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 115m 1.4 Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2520C1 meet the RoHS and Green Pro
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement