QM2520C1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: QM2520C1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 29.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 43.6 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
QM2520C1 Datasheet (PDF)
qm2520c1.pdf
QM2520C1 Dual N-Ch 20V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2520C1 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 115m 1.4 Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2520C1 meet the RoHS and Green Pro
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918