QM2710D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM2710D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: TO-252

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QM2710D datasheet

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QM2710D

QM2710D N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2710D is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 28m 22A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2710D meet the RoHS and Green Product require

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