QM2710D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM2710D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для QM2710D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM2710D даташит

 ..1. Size:349K  ubiq
 qm2710d.pdf pdf_icon

QM2710D

QM2710D N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2710D is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 20V 28m 22A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2710D meet the RoHS and Green Product require

Другие IGBT... QM2602S, QM2604V, QM2605S, QM2605V, QM2606C1, QM2607C1, QM2608N8, QM2702D, AOD4184A, QM2N7002E3K1, QM3001D, QM3001G, QM3001J, QM3001S, QM3001U, QM3001V, QM3002AN3