QM2N7002E3K1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM2N7002E3K1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT-23S

 Búsqueda de reemplazo de QM2N7002E3K1 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

QM2N7002E3K1 datasheet

 ..1. Size:307K  ubiq
 qm2n7002e3k1.pdf pdf_icon

QM2N7002E3K1

QM2N7002E3K1 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2N7002E3K1 is the highest performance trench N-CH MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 60V 3 180mA charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2N7002E3K1 meet the RoHS and Green

Otros transistores... QM2604V, QM2605S, QM2605V, QM2606C1, QM2607C1, QM2608N8, QM2702D, QM2710D, AO4407A, QM3001D, QM3001G, QM3001J, QM3001S, QM3001U, QM3001V, QM3002AN3, QM3002ANA