QM2N7002E3K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM2N7002E3K1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Tiempo de subida (tr): 1.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 12 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23S
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QM2N7002E3K1 Datasheet (PDF)
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QM2N7002E3K1 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2N7002E3K1 is the highest performance trench N-CH MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 60V 3 180mAcharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2N7002E3K1 meet the RoHS and Green
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