QM2N7002E3K1 Todos los transistores

 

QM2N7002E3K1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM2N7002E3K1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23S
 

 Búsqueda de reemplazo de QM2N7002E3K1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

QM2N7002E3K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  ubiq
 qm2n7002e3k1.pdf pdf_icon

QM2N7002E3K1

QM2N7002E3K1 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2N7002E3K1 is the highest performance trench N-CH MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 60V 3 180mAcharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2N7002E3K1 meet the RoHS and Green

Otros transistores... QM2604V , QM2605S , QM2605V , QM2606C1 , QM2607C1 , QM2608N8 , QM2702D , QM2710D , BS170 , QM3001D , QM3001G , QM3001J , QM3001S , QM3001U , QM3001V , QM3002AN3 , QM3002ANA .

History: FQA44N08 | BLP039N08-D

 

 
Back to Top

 


 
.