QM2N7002E3K1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM2N7002E3K1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: SOT-23S

Аналог (замена) для QM2N7002E3K1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM2N7002E3K1 даташит

 ..1. Size:307K  ubiq
 qm2n7002e3k1.pdf pdf_icon

QM2N7002E3K1

QM2N7002E3K1 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2N7002E3K1 is the highest performance trench N-CH MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 60V 3 180mA charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2N7002E3K1 meet the RoHS and Green

Другие IGBT... QM2604V, QM2605S, QM2605V, QM2606C1, QM2607C1, QM2608N8, QM2702D, QM2710D, AO4407A, QM3001D, QM3001G, QM3001J, QM3001S, QM3001U, QM3001V, QM3002AN3, QM3002ANA