Справочник MOSFET. QM2N7002E3K1

 

QM2N7002E3K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QM2N7002E3K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

QM2N7002E3K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  ubiq
 qm2n7002e3k1.pdf pdf_icon

QM2N7002E3K1

QM2N7002E3K1 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2N7002E3K1 is the highest performance trench N-CH MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 60V 3 180mAcharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2N7002E3K1 meet the RoHS and Green

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.