Справочник MOSFET. QM2N7002E3K1

 

QM2N7002E3K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QM2N7002E3K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23S
 

 Аналог (замена) для QM2N7002E3K1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM2N7002E3K1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  ubiq
 qm2n7002e3k1.pdf pdf_icon

QM2N7002E3K1

QM2N7002E3K1 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM2N7002E3K1 is the highest performance trench N-CH MOSFETs with extreme high cell BVDSS RDSON ID density , which provide excellent RDSON and gate 60V 3 180mAcharge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2N7002E3K1 meet the RoHS and Green

Другие MOSFET... QM2604V , QM2605S , QM2605V , QM2606C1 , QM2607C1 , QM2608N8 , QM2702D , QM2710D , AO3407 , QM3001D , QM3001G , QM3001J , QM3001S , QM3001U , QM3001V , QM3002AN3 , QM3002ANA .

History: IPB029N06N3

 

 
Back to Top

 


 
.